2013第三届华东物联网展 新一轮展会宣传方案发布

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展新展Fig.3Collectedin-situTEMimagesandcorrespondingSAEDpatternswithPCNF/A550/S,whichpresentstheinitialstate,fulllithiationstateandhighresolutionTEMimagesoflithiatedPCNF/A550/SandPCNF/A750/S.材料物理化学表征UV-visUV-visspectroscopy全称为紫外-可见光吸收光谱。该研究工作利用了XANES等技术分析了富含缺陷的四氧化三钴的化学环境,宣传从而证明了其中氧缺陷的存在及其相对含量。在X射线吸收谱中,案发布阈值之上60eV以内的低能区的谱出现强的吸收特性,称之为近边吸收结构(XANES)。

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